초미세 반도체칩 개발에서 삼성전자가 일본 업체에 추월당했다. 일본 반도체 업체인 엘피다 메모리가 회로 폭을 25나노미터(10억분의 1m)로 줄인 디램(DRAM)을 개발하는데 성공했다고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다. 엘피다는 7월부터 히가시히로시마시의 히로시마 공장에서 생산할 계획이다.

25나노디램의 기억용량은 2기가바이트(20억 바이트)로 컴퓨터나 스마트폰에 쓰인다. 25나노디램은 30나노디램보다 작아서 반도체 원판(웨이퍼)당 반도체 칩 생산량이 늘어나며, 이에 따라 생산효율이 약 30% 향상될 전망이다. 신문에 따르면 엘피다는 올해 안에 4기가바이트 짜리 25나노디 디램 생산도 시작할 예정이다.

디램은 최첨단 제품으로 1년에 수%씩 가격이 내려가기 때문에 개발 속도가 투자비 회수 여부에 직결되는 것으로 평가된다.

신문은 “엘피다가 30나노 디램 개발에선 삼성전자에 약 6개월 뒤졌지만 1년 전부터 기술개발 체제를 수정한 끝에 20나노 디램 개발에 앞설 수 있었다”고 분석했다.